【摘 要】
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在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,
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在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
On the SOI substrate, a novel lateral insulated gate bipolar transistor (SOI AWIL-LIGBT) based on anodic weak inversion layer to eliminate the negative resistance effect was fabricated. The use of high resistance formed by the inversion of the PN junction anode rapid conduction, anode P + region of the hole can be faster into the drift region, thereby eliminating the negative resistance effect. Simulation results show that the new LTGBT has a breakdown voltage of 307V (18μm drift) ratio with a guaranteed turn-off speed of 56% higher than the conventional SA-LIGBT and eliminates the negative resistance effect.
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