【摘 要】
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采用PECVD方法分别沉积了SiO x∶H和SiOxNy∶H薄膜,测量了其荧光特性.在SiOx∶H薄膜中观察到300～570nm强荧光辐射带,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象.在合适的
【机 构】
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汕头大学物理系,苏州大学薄膜材料实验室
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采用PECVD方法分别沉积了SiO x∶H和SiOxNy∶H薄膜,测量了其荧光特性.在SiOx∶H薄膜中观察到300～570nm强荧光辐射带,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象.在合适的氧含量条件下,荧光带主峰位于蓝光波段,并具有分立峰结构.在SiOxNy∶ H薄膜中,荧光谱由250～400nm、500～700nm两个荧光带和370nm、730nm两组分立荧光峰组成.分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制,当氢流量增加时,发射带的中心位置产生蓝移.
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