SiC／SiO2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

• 作 者: 石礼伟 李玉国 王书运 薛成山 庄惠照
• 机 构: 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2004年7期
• 关键词: SiC/SiO2复合薄膜 磁控共溅射 光致发光 缺陷 SiC/SiO_2 composite films magnetron co-sputtering P

采用SiC/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC/SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能.结果表明,样品经高温退火后在SiO2基质中有SiC纳米颗粒形成.以280 nm波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从800℃升高至1 050℃而增强.其发光归结为薄膜中与Si