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单模面发射半导体激光器的研究随着其应用的不断扩展也引起了广泛的重视,应用多种方法可以提高其输出功率并改善其模式抑制比。本文阐述一种利用金属表面等离子体纳米结构调制的方法获得单模面发射激光器输出功率提高的方法,理论计算表明其增强效应可达近50％。
表面等离子体调制单模面发射激光器的研究
【摘 要】
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单模面发射半导体激光器的研究随着其应用的不断扩展也引起了广泛的重视,应用多种方法可以提高其输出功率并改善其模式抑制比。本文阐述一种利用金属表面等离子体纳米结构调制的方法获得单模面发射激光器输出功率提高的方法,理论计算表明其增强效应可达近50％。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2008年10期
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