【摘 要】
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在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID（proportional-integral-derivative）技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN
【机 构】
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安徽大学电子科学与技术学院,中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室
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在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID（proportional-integral-derivative）技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷＂指纹＂鉴定的新方法应用于GaN材料的深
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