论文部分内容阅读
Katsuki采用原子力显微镜（AFM）模拟单个磨粒与芯片的划痕作用，文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光（CMP）中实际载荷情况下的划痕深度数量级为10^-11m；Nishizawa应用椭圆偏振光谱仪（SE）测试了氧化薄膜厚度和反应时间的关系，并结合理论计算得到1．0×10^-8s内氧化薄膜厚度的量级为10^-13m．实验结果为单分子层材料去除机理提供了依据．最后，以此机理为基础，建立了单分子层材料去除模型，结果与他人实验相吻合，为进一步研究CMP中单分子层材料去除机理提供了理论