【摘 要】
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用液相外延技术成功地生长了波长为1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层,制备并测量这种材料的光电二极管,对异质结的分析表明:在室温下,正向偏压的结电流主要是产生-复合机理形
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用液相外延技术成功地生长了波长为1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层,制备并测量这种材料的光电二极管,对异质结的分析表明:在室温下,正向偏压的结电流主要是产生-复合机理形成的,估计产生-复合的有效寿命为2 ×10~(-7)秒,加30伏反向偏压时,漏电流密度达9×10~(-6)安/厘米~2,而二极管击穿电压为70伏。
The epitaxial layer of Hg_ (1-x) Cd_xTe with the wavelength of 1.33 μm was successfully grown by liquid-phase epitaxy. The photodiode of this material was prepared and measured. The analysis of the heterojunction showed that at room temperature, the forward bias Of the junction current is mainly generated - the formation of complex mechanism, it is estimated that the composite - the effective life of 2 × 10 -7 seconds, plus 30 volts reverse bias, the leakage current density of 9 × 10 -6 ) A / cm ~ 2, and the diode breakdown voltage is 70 volts.
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