【摘 要】
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在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n<sup>+</sup>多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n<sup>+</sup>多晶硅注入B<sup>+</sup>,
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在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n<sup>+</sup>多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n<sup>+</sup>多晶硅注入B<sup>+</sup>,使其变成p<sup>+</sup>型多晶硅。可是,随着集成度的提高,最小线宽越变越窄,也要求多晶硅膜更薄,即使用很低能量的B<sup>+</sup>来注入,B<su
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