嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

• 作 者: 林鸿生
• 机 构: 中国科学技术大学物理系
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 1999年6期
• 关键词: 热平衡态 异质结 太阳电池 μc-Si:H 数值模拟 Heterojunction solar cellNewtonRaphson solution techn
• 基金项目: 国家自然科学基金,,安徽省自然科学基金

应用计算机数值模拟方法计算ｐ＾＋（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）及ｐ＾＋（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ＿／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布，说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜厚选择，进而对嵌入ａ－Ｓｉ：Ｈ薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析，包括ａ－Ｓｉ：Ｈ薄层ｐ型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择，最后讨论μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异