双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mujun1

【摘要】

：

在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得

【作者】

：

何维朱佳政

【机构】

：

四川大学物理系,中国原子能科学研究院核物理研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1999年6期

【关键词】

：

晶闸管双束质子辐照通态压降开关时间 ThyristorDual protonOn-state voltage dropSwitching fime

【基金项目】

：

国家自然科学基金

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ后用３．５ＭｅＶ能量注量都为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比，发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶

其他文献

用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术

针对在ＭＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条

期刊

MEMS低温硅片直接键合氧等离子体激活ICMEMSLow temperature silicon direct bondingOxygen plasm

交流电力机车谐波特性及治理初探

目前国内的电力机车主要有直流电力机车和交流电力机车,交流电力机车的网侧谐波特性与直流电力机车有着明显不同。2014年,兰州铁路局银川供电段管辖范围内交流电力机车HXD系

期刊

谐波特性谐波治理交流电力机车直流电力机车HXD系列机车

离子束刻蚀

介绍了几种常用的干法刻蚀的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ＾２束不充密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻胡束流和束流密度增加而增加的试验结果和实际

期刊