论文部分内容阅读
测定了TAP晶体中铊离子的价态,发现TAP晶体中除了一价的铊离子Tl^+外,还有少量三价铊离子Tl^3+的存在。实验还测定TAP晶体中存在的金属离子杂质,总量为0.207mg/g。联系TAP结构的特点讨论了TAP晶体存在Tl^3+和金属离子杂质是产生TAP晶体结构缺陷的重要原因,并分析了TAP晶体位错线基本走向平行于c轴的原因。