【摘 要】
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安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时,该器件可提供45mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这
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安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时,该器件可提供45mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低Vce(sat)BJT还提供超过8kV的较高的静电放电(ESD)容差,因此能在突发浪涌情况下自我保护,避免受损。
ON Semiconductor’s newest NSSxxx low-VCE (sat) surface-mount devices are specifically designed for low-voltage conversion applications where energy efficiency control is critical. At 1A current, the device offers an ultra-low-voltage of 45mV and a current gain of 300x. The low Vce (sat) BJT also provides high electrostatic discharge (ESD) tolerances in excess of 8kV and therefore protects itself from damage in the event of a sudden surge.
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