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本文介绍了一个新的简单且比较精确的半经验型小尺寸MOS管模型。在此模型中,表面沟型管与埋沟型管分别予以考虑,同时对各种小尺寸效应进行了适当的修正。模型公式中引入的各参数均具有明确的物理意义,使得此模型公式可用于对沟道尺寸为1μm以上的由CMOS工艺制造的单管或集成电路的电学特性模拟,其结果与实验很好地吻合。