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利用高能真空微波辐照，仅以SiO2和人造石墨粉为原料，便捷快速地合成得到结晶良好的β-SiC晶粒。在利用各种表征手段综合分析SiC晶粒微观结构的基础上，确认高能微波辐照条件下，β-SiC晶粒的生长过程符合“光滑界面的二维形核生长”机制。借助于电子背散射衍射技术（EBSD）进行的原位解析发现，生长最快的{211}面在晶粒长大过程中逐渐被超覆，通过形成{421}过渡晶面而最终演变为{220}晶面，并成为晶粒的侧面；而生长最慢的{111}面则成为最后保留下来的六角形规则晶面。EBSD的解析结果为SiC晶粒生长过