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采用高压脉冲激光沉积法（HP-PLD）研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线（ZnO：Na）生长的影响，并制备了ZnO：A1薄膜／ZnO：Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现，当金膜厚度为4．2nm，生长压强为3．33×10。Pa，生长温度为875℃时，可在单晶Si衬底上生长C轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温（15K）光致发光谱中，观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征，如中性受主束缚激