【摘 要】
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本文概述了频率范围30至250GHz毫米波段的硅连续波IMPATT二极管和振荡器的目前水平。并论述了设计程序,制造和封装技术及二极管振荡器的现有性能,同时扼要地叙述了目前器件的
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本文概述了频率范围30至250GHz毫米波段的硅连续波IMPATT二极管和振荡器的目前水平。并论述了设计程序,制造和封装技术及二极管振荡器的现有性能,同时扼要地叙述了目前器件的可靠性,讨论了低于100HGz日趋于成熟的器件技术和高频段目前主要基于实验室技术之间的对比。最后,预测了未来的发展方向。
This article outlines the current state of silicon continuous wave IMPATT diodes and oscillators in the frequency range 30 to 250 GHz. And discusses the design process, manufacturing and packaging technology and the existing performance of the diode oscillator, and also briefly describes the reliability of the current device, discusses the device technology and high frequency band is less mature than 100HGz maturity is mainly based on laboratory technology The contrast between. Finally, predict the future direction of development.
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