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本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最后论述了这些状态转换的意义及单带双谷理论的有效性.
直接／间接能隙材料量子阱中的能带混和
【摘 要】
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本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1990年1期
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