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本文报道了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层异质外延材料中高Ａｌ组份的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层在４００－５００℃与水汽（携带气体为Ｎ２）发生化学反应的氧化特性。其氧化反应是沿着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的。ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层的氧化速度与ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中ｘ值、层厚、水气能量、氧化温度等４个因素有关；根据不同温度下ＡｌＡｓ层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度ＡｌＡｓ