低功耗2.4GHz 0．18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

• 作 者: 孔晓明 黄风义 王志功 张少勇
• 机 构: 东南大学射频与光电集成电路研究所
• 出 处: 电气电子教学学报
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 CMOS radio frequency IC LNA noise figure

我们利用0．18μm CMOS工艺设计了低噪声放大器。所有电感采用片上螺旋电感，全集成在单个芯片上，并实现片内50N匹配。本次电路设计分析采用ADS仿真软件，电源电压1V，工作电流8mA，增益为15．4dB，噪声系数2．7dB，线性度指标IIP3为-0·6dB·结论是CMOS工艺在工艺和模型方面的改进，使得CMOS RF电路设计更为精确，可集成度更高。