Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

• 作 者: 张明 董国胜 等
• 机 构: 复旦大学李政道物理学综合实验室,复旦大
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1995年2期
• 关键词: 锰 砷化镓 界面 磁性 光电子能谱 电子结构
• 基金项目: 国家自然科学基金,国家教委博士点基金

利用X光电子谱（XPS）和紫外光电子谱（UPS），对室温下Mn在GaAs(100)清洁表面淀积后的电子结构进行了研究。实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θc(θc≈0.25nm)时，界面体系是半导体性的；而当θ >θc时，界面表现出金属性，我们认为这是铁磁交换积分导致3d能带分裂的结果。另外，从Mn3s芯能级的多重分裂来看，至少从θ>0.4nm开始，Mn的原子局域磁矩大小就不再变化。