【摘 要】
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采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响.结果表明:在U=3.0 V时,可制备出沿(
【机 构】
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陕西科技大学化学与化工学院,陕西科技大学材料科学与工程学院,
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采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响.结果表明:在U=3.0 V时,可制备出沿(111)晶面取向生长的立方相PbS薄膜;随沉积电压从3.0 V增加到4.5 V,薄膜的生长取向从(111)晶面变为(200)晶面,且PbS衍射峰的强度越来越强,到18 V时达到最强.
The PbS thin film was deposited on the surface of ITO conductive glass by cathodic constant voltage method and the structure of the thin film was characterized by X-ray diffraction (XRD). The influence of deposition voltage on the crystal phase composition was studied. = 3.0 V, a cubic PbS thin film grown along the (111) plane can be prepared. With the increase of deposition voltage from 3.0 V to 4.5 V, the growth orientation of the thin film changes from (111) plane to (200) plane , And the intensity of PbS diffraction peak is getting stronger and stronger, reaching the strongest when reaching 18V.
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