低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz压控振荡器设计

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【摘要】

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本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO.采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5GHz,

【作者】

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李奎利文光俊蔡竞业王永平曾隆月

【机构】

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四川成都,广东广州,电子科技大学通信与信息工程学院射频集成电路研究室,广州润芯信息技术有限公司

【出处】

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微计算机信息

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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压控振荡器低相位噪声宽调谐范围 BiCMOS

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本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO.采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5GHz,调谐范围为460MHz,在5GHz频偏100KHz时相位噪声为-101.57dBc/Hz的VCO.电源电压为2.6V,总直流消耗为9.74mA.总直流功耗为25.324mW.

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