金-锗-镍,金-锌及铝对Ⅲ-Ⅴ族化合物的接触电阻

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测量了金-锗-镍(Au-Ge-Ni)对掺杂浓度高于~10~(17)-10~(18)厘米~(-3)的n型Al_(0.4)Ga_(0.6)As及P_(0.4)和GaP的接触电阻率。在热处理之后Au-Ge-Ni对这些材料呈现欧姆接触特性。也研究了Au-Zn及Al对载流子浓度为~2×10~(19)厘米~(-3)的P型Al_(04)Ga_(0.6)As、GaAs_(0.6)P_(0.4)和GaP的接触电阻。Au-Zn接触可应用于这三种P型材料,但Al接触材料仅推存使用于P型GaAs_(0.6)P_(0.4)。 The effect of Au-Ge-Ni on the n-type Al 0.4 Ga 0.6 As (superscript 3+) doped at higher than ~ 10 ~ (17) -10 ~ (18) cm ~ And P_ (0.4) and GaP contact resistivity. Au-Ge-Ni exhibits ohmic contact properties to these materials after heat treatment. The effects of Au-Zn and Al on the p-type Al_ (04) Ga_ (0.6) As and GaAs_ (0.6) P_ (0.4) with the carrier concentration of ~ 2 × 10 ~ (19) cm ~ GaP contact resistance. Au-Zn contacts can be applied to these three P-type materials, but Al contact materials are only used for P-type GaAs_ (0.6) P_ (0.4).
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