纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制

• 作 者: 金飞 张维佳 贾士亮 丁照崇 闫兰琴 王天民 李国华
• 机 构: 北京航空航天大学理学院
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2007年z1期
• 关键词: PECVD 太阳能电池 半导体薄膜

通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电