【摘 要】
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GaAs体效应器件国外已发展成完整系列,其连续波器件最高频率已达到100GHz左右,我国近几年来这方面的工作也有迅速进展,60GHz以下的器件已接近国际水平,但60GHz以上的器件还是
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GaAs体效应器件国外已发展成完整系列,其连续波器件最高频率已达到100GHz左右,我国近几年来这方面的工作也有迅速进展,60GHz以下的器件已接近国际水平,但60GHz以上的器件还是空白.南京团体器件研究所进行了60—90GHz即E波段GaAs体效应二极管的研制,目前器件已达实用化阶段.
GaAs body effect device has developed into a complete series of foreign countries, the highest frequency of continuous wave devices has reached about 100GHz, China's work in recent years have also made rapid progress, the device below 60GHz is close to international standards, but more than 60GHz device is still blank Nanjing Institute of Device Research carried out the development of 60-90GHz E-band GaAs body effect diode, the device has reached the practical stage.
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