【摘 要】
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低发射极浓度(LEC)晶体管2G213是一种NPN双极型低频低噪声晶体管。用硼离子注入形成基区、磷离子注入形成发射区并实现LEC结构。表面用二氧化硅-磷硅玻璃-氮化硅钝化。在一千
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低发射极浓度(LEC)晶体管2G213是一种NPN双极型低频低噪声晶体管。用硼离子注入形成基区、磷离子注入形成发射区并实现LEC结构。表面用二氧化硅-磷硅玻璃-氮化硅钝化。在一千赫时噪声系数0.5分贝。共发射极电流放大系数500～2000。
Low emitter concentration (LEC) transistor 2G213 is an NPN bipolar low frequency low noise transistor. Boron ions are implanted to form a base region, and phosphorus ions are implanted to form the emitter region and realize the LEC structure. The surface is passivated with silica-phosphosilicate-silicon nitride. The noise figure is 0.5 dB at one kHz. A total of emitter current amplification factor 500 ~ 2000.
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