【摘 要】
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47.铜金属化中时间相关介质击穿的物理模型(APhysical Model of Time-Dependent Dielectric Break-down in Copper Metallization)——2003 Interna-tional Reliability Phy
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心
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47.铜金属化中时间相关介质击穿的物理模型(APhysical Model of Time-Dependent Dielectric Break-down in Copper Metallization)——2003 Interna-tional Reliability Physics Symposium pp.282-286. 研究了铜互连介质击穿的物理模型,评价了关于Cu~+扩散和漂移的通用连通等式,开发了用于预计TDDB寿命的分析表达式。模型预计与不同电场和温度下的实验数据很吻合。寿命与加速应力下的电场指数成正比,与E模型一致。
47. APhysical Model of Time-Dependent Dielectric Break-down in Copper Metallization - 2003 Interna- tional Reliability Physics Symposium pp. 282-286. The effects of copper interconnect media The physical model of breakdown, the general connectivity equation for diffusion and drift of Cu ~ + was evaluated and an analytical expression for predicting the TDDB lifetime was developed. The model is in good agreement with the experimental data at different electric fields and temperatures. Life expectancy is proportional to the electric field index under accelerated stress, consistent with the E-model.
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