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半导体材料的禁带宽度不但决定了材料的原子组成和成键状态，而且还受到固体内部缺陷和外部掺杂的影响。这些杂质和缺限作为施主（或受主）产生自由载流子从两方面改变材料的带隙。一是高浓度载流子使费米能级移进导带产生所谓的Ｂｕｒｓｔｅｉｎ移动使带隙变宽，二是电荷之间的相互作用产生的自能或导带与杂质带的重叠使带隙变窄，本文以ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３等氧化物半导体制成的透明导电膜为例回顾近些年来得到的宽禁带半