【摘 要】
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研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)
【机 构】
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深圳信息职业技术学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
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研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。
A metal-free catalyst for growth of GaN nanowire arrays was investigated. The pure GaN nanowire arrays were prepared on GaN / sapphire template by using Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) system with HCl gas as catalyst. Scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray fluorescence spectroscopy (EDX) and transmission electron microscopy TEM) was used to investigate the effect of growth conditions on the growth of GaN nanowire arrays. The growth of GaN nanowire arrays was investigated and their growth mechanism was explored to provide a theoretical basis for the controlled growth of GaN nanowire arrays.
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