【摘 要】
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本文报导了采用X线曝光技术制造有效沟道长度为0.3微米的MOS场效应晶体管的试制例子。用这种场效应晶体管构成的19级环形振荡器延迟时间是40微微秒,20微微秒也可以工作。发表
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本文报导了采用X线曝光技术制造有效沟道长度为0.3微米的MOS场效应晶体管的试制例子。用这种场效应晶体管构成的19级环形振荡器延迟时间是40微微秒,20微微秒也可以工作。发表这一试制成果是为了表明用X射线曝光技术可以进行微细加工。我们一并使用了本公司研制的曝光设备、掩模及可以进行干法显影新型抗蚀剂等。
This paper reports a pilot example of using X-ray exposure technology to fabricate a MOS field effect transistor with an effective channel length of 0.3 microns. A 19-stage ring oscillator with this field-effect transistor has a delay time of 40 picoseconds and 20 picoseconds. The trial results were published to demonstrate that microfabrication can be performed using X-ray exposure technology. We have also used our exposure equipment, masks and dry-process development of new resists.
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