【摘 要】
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用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C
【机 构】
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南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室江苏南京210093,江苏南京210093
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900),国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103),高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004),单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
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用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移。
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