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【摘 要】
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悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一，线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟，考虑二维轴对称
【机 构】
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中国电子科技集团公司第46研究所
【出 处】
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中国电子科学研究院学报
【发表日期】
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2009年2期
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