【摘 要】
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对P型硅的C(t)和C(V)特性的不稳定性进行了细致的实验研究.给出了一个能满意地定性解释所观察到的各种现象的物理模型.利用硼注入到栅周围的硅中,可有效地消除上述不稳定性.
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所
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对P型硅的C(t)和C(V)特性的不稳定性进行了细致的实验研究.给出了一个能满意地定性解释所观察到的各种现象的物理模型.利用硼注入到栅周围的硅中,可有效地消除上述不稳定性.但实验证明,此时若要利用 MOS C(t)特性来决定半导体少子寿命,必须对样品进行适当的处理.
A detailed experimental study on the instabilities of the C (t) and C (V) properties of P-type silicon has been given, and a physical model that satisfactorily qualitatively interprets the observed phenomena has been given. The silicon around the gate can effectively eliminate the above instability, but experiments show that at this time, if we want to use the MOS C (t) characteristic to determine the lifetime of a semiconductor minority carrier, the sample must be properly processed.
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