【摘 要】
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据日本《电视学会志》1992年第1期报道,德岛大学工学部的酒井副教授等和松下寿电子工业公司共同研制在Si衬底上生长的GaAs单晶中插入发光器件,成功地制作了GaAs,Si混合型光IC
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据日本《电视学会志》1992年第1期报道,德岛大学工学部的酒井副教授等和松下寿电子工业公司共同研制在Si衬底上生长的GaAs单晶中插入发光器件,成功地制作了GaAs,Si混合型光IC。要开拓计算机和电子设备内的光通信的通路,就需实现超高速、高集成度的IC。
According to Japan’s “Institute of Television,” No. 1, 1992 report, Associate Professor Sakai and other engineers at the University of Tokushima and Matsushita Electric Industrial Co. jointly developed GaAs single crystal grown on the Si substrate into the light-emitting devices, the successful production of GaAs , Si hybrid optical IC. To open up the path of optical communications within computers and electronic devices, it is necessary to achieve ultra-fast, highly integrated ICs.
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