【摘 要】
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《Electronics Letters》1992年第4期报道了用GSMBE(气源分子束外延)方法制造的高电流增益GalnP/GaAsHBT,其电流增益达到590。这是目前国际上最高电流增益的HBT。 由于HBT的
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《Electronics Letters》1992年第4期报道了用GSMBE(气源分子束外延)方法制造的高电流增益GalnP/GaAsHBT,其电流增益达到590。这是目前国际上最高电流增益的HBT。 由于HBT的优良微波特性,使其已成为当今研究的热点。以往GaAlAs/GaAs结构应用较多,目前为改善器件性能,对Ga_(0.51)In_(0.49)P/GaAs结构产生了极大兴趣。主要是因为GaInP/GaAs
Electronics Letters, No.4, 1992, reports the GalnP / GaAs HBT high current gain fabricated by the GSMBE (gas source molecular beam epitaxy) method with a current gain of 590. This is the world’s highest current gain HBT. Due to the excellent microwave characteristics of HBT, it has become a hot spot in today’s research. In the past, GaAsAs / GaAs structures have been widely used. At present, to improve the device performance, great interest has been generated in the structure of Ga_ (0.51) In_ (0.49) P / GaAs. Mainly because of GaInP / GaAs
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