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对目前广泛用于制备高Ｔｃ超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型，采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果，通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化关系的三维曲线，得到了生长大面积均匀薄膜、快速生长薄膜的最佳位置，并同使用较广泛的平面磁控溅射的一些计算结果进行了比较。
环形磁控溅射成膜生长速率及厚度均匀性研究
【摘 要】
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对目前广泛用于制备高Ｔｃ超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型，采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果，通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化
【机 构】
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武汉大学物理学系
【出 处】
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武汉大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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