【摘 要】
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新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代。现代先进的外延技术使应变层锗硅应变层锗硅材料的应用成为可能。本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构
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新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代。现代先进的外延技术使应变层锗硅应变层锗硅材料的应用成为可能。本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构双极器件的研究现状及发展,着重讨论了锗硅应变层的性质和以锗硅应变层作基区的异质结双极器件的性能及其应用前景。
The development of new SiGe materials and devices has opened the door to a new era of silicon heterostructure and ribbon engineering devices. Modern advanced epitaxial technology makes it possible to apply strain-gauge germanium-silicon-germanium-germanium silicon layers. This paper reviews the research status and development of novel germanium-silicon strained-layer heterojunction bipolar devices in detail. The properties of the strained silicon germanium layer and the heterojunction bipolar devices with germanium-silicon strained layer as the base are discussed in detail. Application prospects.
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