【摘 要】
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将对称噪声滤波技术应用到4 8GHz LC全集成 VCO设计中.该 VCO具有很低的相位噪声以及 716MHz的调节范围,在SMIC 0 25μm单层多晶、五层金属、n阱 RF CMOS工艺上实现,在2 5V电
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,鼎芯通讯(上海)有限公司,鼎芯通讯(上海)有限公司,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433,上海201203,上海201203,上海200
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将对称噪声滤波技术应用到4 8GHz LC全集成 VCO设计中.该 VCO具有很低的相位噪声以及 716MHz的调节范围,在SMIC 0 25μm单层多晶、五层金属、n阱 RF CMOS工艺上实现,在2 5V电源电压下工作电流仅为6mA,与常规VCO比较,在相同条件下,噪声性能改善了6dBc/Hz.芯片测试结果表明,在偏离4 8GHz载波1MHz的地方相位噪声为-123 66dBc/Hz,该设计在锁相环及其他消费类电子产品中有广泛应用.
The symmetric noise filtering technology is applied to the 4 8GHz LC fully integrated VCO design with very low phase noise and a 716MHz adjustment range implemented on a SMIC 0 25μm single-layer polycrystalline, five-metal, n-well RF CMOS process , The operating current is only 6mA at 2 5V supply voltage, and the noise performance is improved by 6dBc / Hz under the same conditions compared with the conventional VCO. The chip test results show that the phase noise is -123 66dBc / Hz, the design is widely used in PLLs and other consumer electronics products.
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