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基于单粒子辐照的等离子体输运机理，提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析，获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明，横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小，且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。