Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的特性研究

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利用变温和变激发强度的近红外光致发光,研究了Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的发光特性,讨论了其来源.根据0.96eV发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系,获得了其热激活能,Huany-Rhys因子,振动声子能量和Frank-Condon位移.实验结果表明0.96eV发光带可能来源于砷空位施主-镓空位受主对之间的跃迁. The luminescent properties of 0.96 eV luminescent band in GaAs thin film grown on Si substrate were studied by using near infrared photoluminescence with variable temperature and varying excitation intensity. The thermal activation energy, Huany-Rhys factor, vibrational phonon energy and Frank-Condon displacement were obtained according to the relationship between the luminescence intensity, the peak position and the half-width of 0.96eV luminescent band with temperature and excitation intensity. The experimental results show that the 0.96eV luminescent band may originate from the transition between acceptor pairs of arsenic vacancies donor gallium vacancies.
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