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首次论证了禁带可变合金Hg1-∞Cd∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比较。文中所列有关单台面MIS器件的资料,证明我们对器件的分析是正确的,显示了这种工艺在未来的焦平面应用方面的潜力。