Fe-N软磁薄膜的结构和性能

• 作 者: 周剑平 李丹 顾有松 赵春生 常香荣 李福 乔利杰 田中卓
• 机 构: 北京科技大学材料物理系,北京,100083中国科学院计算技术研究所,北京,100080
• 出 处: 中国科学A辑
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: Fe-N系 磁性薄膜 结构 性能
• 基金项目: 国家自然科学基金

用RF溅射制备厚度为200 nm的Fe-N薄膜在250℃, 12000 A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%～7%(原子百分数)范围内形成α′+α″相时,4πMS可达2.4 T,Hc＜80 A/m, 2～10 MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10 Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. Fe-N系薄膜中α′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的α′相有明显的差别,得到了薄膜中α′相的a,c与Cα′N之间的线性关系式.