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分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路电子和Ｘ线射辐照响应结果。实验表明，把适量的Ｆ注入栅场介质，能明显抑制辐射所引起的ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压的负向漂移和ＮＭＯＳ－ＦＥＴ阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加，Ｉ－Ｖ特性表明，栅介质中的Ｆ能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注Ｆ栅介质电子和Ｘ射线辐照敏感性的降低，是Ｓｉ－Ｆ结键释放了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力，并部分替换辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓ