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已知，在使用ＰＥＣＶＤ法沉积的硅薄膜中，掺硼所获得的最高室温电导率要比在同样沉积条件下掺磷膜低一个数量级。我们用ＳＩＭＳ及声表面技术测得，氢化硅膜中起受主作用的活性硼原子在其总掺硼量中仅占０．７％，而绝大部份掺入的硼原子是非活性的。这是由于氢化硅薄膜网络结构中的氢填补了未饱和的Ｂ－Ｓｉ键，使之形成大量的Ｂ－Ｈ－Ｓｉ复合体所致，使用低能电子束流辐照掺硼样品，引起退氢化作用，从而使大量的Ｂ－Ｈ－Ｓｉ中