GaAS MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxj8880430
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本文对CaAs MESFET正向肖特基结电压Vgsf随温度的变化特性进行了温度与分析,得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Vgst随温度的变化有很好的线性关系,并发现其温度系数α=dVgsf/dT与测试电流有关,随着I的增大│α│减少,经过对试验点的拟合发现,kT与I的变化满足指数关系,且Vgsf随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性,即在绝零度时,不同电流下的Vgef具有相同的值。据化,
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