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采用结谱，荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究。在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别拉于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ。在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带一０．４３ｅＶ和价带上０．３２ｅＶ和０．５５ｅＶ。
GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
【摘 要】
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采用结谱，荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究。在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别拉于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ。在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带一０．４３ｅＶ和价带上０．３２ｅＶ和０．５５ｅＶ。
【机 构】
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北京师范大学物理系,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年8期
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