英飞凌研制出世界最小非易失闪存单元

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英飞凌科技公司(Infineon)的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gb的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。非易失 Infineon experts have successfully developed the world’s smallest non-volatile flash memory cell. The circuit width of this new memory cell is only 20 nanometers. If you can overcome all production difficulties such as lithography, the new result is likely to be used in the next few years to create up to 32Gb of non-volatile flash memory chips, equivalent to 8 times the existing products on the market. Non-volatile
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