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关于纳米硅/氧化硅系统的光致发光(PL)机制,有很多争议.该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅.提出二种PL竞争机制:量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程.两个过程中光激发都发生在NSP中,光发射在QC过程是发生在NSP中,而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上.对两种过程的几率大小进行比较哪一过程对PL起主要作用,取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸.对于一个有固定的俘获截面、