【摘 要】
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引言在77°K工作的8～13微米波长的碲镉汞探测器的特性已得到充分证实。背景限制特性大体上已能达到。虽5微米时也能达到这种特性,但没有明显的超过InSb探测器的优点。然而在
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引言在77°K工作的8～13微米波长的碲镉汞探测器的特性已得到充分证实。背景限制特性大体上已能达到。虽5微米时也能达到这种特性,但没有明显的超过InSb探测器的优点。然而在较高温时,这种可以把探测器调到所要求波长范围的特点又比在300°K时对7微米有响应的InSb有了改进。
Introduction The characterization of HgCdTe detectors with 8 to 13 micron wavelengths operating at 77 ° K has been well established. Background restrictions have generally been achieved. This feature is achieved even at 5 microns, but does not significantly outweigh the advantages of InSb detectors. However, at higher temperatures, this feature of turning the detector to the required wavelength range is an improvement over InSb that responds to 7 μm at 300 ° K.
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