在SiC晶须表面化学气相沉积BN薄膜的研究

• 作 者: 隋智通 洪澜 赵乃仁
• 机 构: 东北工学院,东北工学院,东北工学院 沈阳110006,沈阳110006,沈阳110006
• 出 处: 稀有金属
• 发表日期: 1993年01期
• 关键词: 化学气相沉积 BN SiC 薄膜性能 晶须 沉积速度 沉积膜 总压力 组份 表观活化能

采用化学气相沉积(CVD)法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH_3-BCl_3-H_2 混合气体,总压力为1.013×10~5Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_(NH_3)=0.06dm~3/min、D_(?Cl_3)=0.01dm~3/min、D_(?)=0.02dm~3/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。

BN films were deposited on SiC whiskers by chemical vapor deposition (CVD). The optimum conditions for the deposition were 1250 ℃ and 1 h with the total pressure of 1.013 × 10 ~ 5 Pa. The flow rates of gas components were respectively D_ (NH_3) = 0.06 dm ~ 3 / min, D_ (? Cl_3) = 0.01dm ~ 3 / min, D _ (?) = 0.02dm ~ 3 / min. The electron probe determines the thickness of the deposited layer to be about 10 nm. The results show that the deposition rate of BN increases with the increase of temperature and gas flow rate. At 1000 ℃, the kinetic control is dominated. The apparent activation energy is 150 kJ / mol. Above 1250 °, the diffusion control is dominant, and the apparent activation energy is 10 kJ / mol.